Onsemi KSC1845 は Onsemi(On Semiconductor)の汎用小信号シリコントランジスタ。エピタキシャル構造、NPN型。Onsemi KSA992 とコンプリペア。NEC 2SC1845 のセカンドソース品。
データシート上の数値はいずれも本家と同じ
写真のものは、2023年に秋月電子通商で購入したもの。TO-92 形状。hFE は一番大きい、Fランク(300-600)。
同一ロット品からサンプルを 5個、適当に抽出して hFE を測定したもの。Ic = 2.0mA付近の数値で、409、413、424、395、411 とほぼバラつきなし。測定条件は Vce = 6.0V。
以下の特性は、hFE : 409 の個体を計測。
Vce-Ic特性。低電流、能動領域では Vce依存が少なく、横一直線に伸びている。Ic間も一定で、Ib依存が少ない。Ic が 6mA を超える領域になると、右肩上がりになる。測定条件は Vcc = 7.0V。
飽和領域のVce-Ic特性。Vceo ≦ 120V と高耐圧の品種のため、能動領域は Vce ≧ 2V くらいからといった感じで、低電圧領域ではなで肩になる。
サンプル5個(hFE測定と同じ個体)の Vbe-Ic特性。測定条件は Vce = 6.0V。
(続く)