Onsemi KSA992

Onsemi KSA992 は Onsemi(On Semiconductor)が製造販売する汎用小信号シリコントランジスタ。エピタキシャル構造、PNP型。Onsemi KSC1845 とコンプリペア。NEC 2SA992 のセカンドソース品。

データシート上の数値はいずれも本家と同じ

1990年代に SAMSUNG Semiconductor(韓国)が本品種を開発、同社は Fairchild Semiconductor(米国)に売却され、その後、Fairchild Semiconductor のディスクリート部門が On Semiconductor(米国)に売却された。Onsemi富川工場(韓国、京畿道富川市)で製造される。

Onsemi が買収した三洋半導体に SANYO 2SA1016K という定格の近い品種があるので、中身は同品種と同じかもしれないと考えたが、特性を見てみると違う品種のようである。このクラスは意外と品種が少なくて、他社で TOSHIBA 2SA970、ROHM 2SC1038、三菱電機/イサハヤ電子 2SA847A、HITACHI 2SA1085 くらいしか無い。

写真のものは、2023年に秋月電子通商で購入したもの。TO-92 形状。hFE は大きめの、Fランク(300-600)。

同一ロット品からサンプルを 5個、適当に抽出して hFE を測定したもの。Ic = 2.0mA付近の数値で、516、522、541、516、537 とほぼバラつきなし。測定条件は Vce = 6.0V。

以下の特性は、hFE : 516(1個目) の個体を計測。

Vce-Ic特性。低電流、能動領域では Vce依存が少なく、横一直線に伸びている。Ic間も一定で、Ib依存が少ない。測定条件は Vcc = 7.0V。

グレーでオーバレイしてあるのが、NEC 2SA992 の実測データだが、ランクが違う(Eランク)のと、測定した Ib が違うので注意。

アーリー電圧(VA) は約44V。

飽和領域のVce-Ic特性。Vceo ≦ 120V と高耐圧の品種であるものの、能動領域は Vce ≧ 1V くらいからといった感じで、低電圧領域でもなで肩にならない。

グレーでオーバレイしてあるのが、NEC 2SA992 の実測データだが、ランクが違う(Eランク)のと、測定した Ib が違うので注意。

サンプル5個(hFE測定と同じ個体)の Vbe-Ic特性。測定条件は Vce = 6.0V。

小信号トランジスタ。

(続く)